周二，美国商务部已确定向美光科技发放61.65亿美元的补贴。
低于此前给英特尔的78.6亿美元补贴。
但相比缩减英特尔的补贴，美光更受美国政府的青睐，小幅提升了此前约定给美光补贴。
美光是全球存储巨头，DRAM市场份额排名全球第三，仅次于三星和SK海力士。在NAND闪存市场，美光也占据超过10%的市场份额。
美光在未来引领美国存储半导体产业发展将起到不可估量的作用。
目前，美光科技主要在美国爱达荷州、纽约州、弗吉尼亚州马纳萨斯这三个地点有工厂。
新拨款的61.65亿美元补贴，其中46亿美元、15亿美元分别用于纽约州、爱达荷州工厂的建设。
除了上述两个地点外，美国商务部还将额外提供2.75亿美元给美光扩建弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。帮助美光将更先进的技术引入美国，提高美光的芯片产量。
美光正在纽约州中部建设一个占地1400英亩的大型芯片厂，以促进DRAM芯片的生产。
该工厂的投资额高达200亿美元，一期项目已经开始施工，并计划在2025年实现量产。
该芯片部门负责人表示，DRAM芯片是个人计算、汽车、工业运营、无线通信和人工智能的关键组件，而美光的高带宽内存对于实现新的AI模型至关重要。
这释放美光紧抓AI热潮，加速布局HBM的信号。
全球能供应HBM产品三巨头是SK海力士、三星电子和美光。
今年2月，美光宣布量产HBM3E，并搭载于英伟达H200 TensorCore GPU。
美光计划2026年发布HBM4产品，2028年推出HBM4E产品。
但这三大厂商，目前进展最快的是SK海力士的HBM。今年4月SK海力士已宣布和台积电合作开发HBM4产品，开发进度相比三星、美光等竞争对手提前一年。
SK海力士预计2025年下半年给英伟达供货HBM4芯片。
随着AI需求强劲增长，未来三星、美光、SK海力士向英伟达抢单HBM的竞争更激烈。